机械强度

作品数：2101被引量：3617H指数：22
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直拉硅单晶的机械强度:锗和氮共掺杂的效应
《物理学报》2021年第9期331-338,共8页孙玉鑫 吴德凡 赵统 兰武 杨德仁 马向阳 
国家自然科学基金(批准号:61674126,51532007,61721005)资助的课题。
作为集成电路(ICs)的基础材料,直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素,而且在很大程度上决定了ICs芯片在测试和封装过程中出现的失效情况.目前,ICs的器件特征尺寸仍在继续减小,由此带来...
关键词：直拉硅单晶 机械强度 位错滑移 共掺杂 锗 氮 
直拉硅单晶的杂质工程:微量掺锗的效应
《中国科学：信息科学》2019年第4期369-384,共16页孙玉鑫 陈加和 余学功 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金(批准号:51532007;61674126;61721005)资助项目
直拉硅单晶是集成电路的基础材料,因而在过去几十年来被广泛而深入研究.直拉硅单晶的缺陷以及机械强度对集成电路制造的成品率有显著的影响.传统上,人们认为直拉硅单晶中除了掺杂所需的电活性杂质以及不可避免的氧杂质以外,其他杂质越...
关键词：直拉硅单晶 杂质工程 微量掺锗 缺陷控制 机械强度 
硅空间太阳电池研究进展
《材料导报》2004年第12期10-13,共4页朱鑫 沃银花 席珍强 杨德仁 
国家杰出青年基金(№60225010)
硅空间太阳电池是目前主要的空间电源设备,正朝着50～70μm的超薄趋势发展,预示了其优良的使用性能和更为广阔的应用前景,这也对电池的转化效率、辐照性能和机械强度提出了更高的要求。较为详细地介绍了针对超薄太阳电池的掺杂剂选择,...
关键词：太阳电池 表面钝化 机械强度 掺杂剂 织构 结构改进 转化效率 超薄 性能 辐照 
掺氮直拉硅单晶的研究和应用
《中国集成电路》2004年第3期28-31,共4页杨德仁 阙端麟 
掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料,它具有容易消除微缺陷,低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点,这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发,掺氮直拉硅单晶的...
关键词：掺氮直拉硅单晶 集成电路 微缺陷 硅中氮 机械强度 
硅材料中氮的性质和研究被引量：2
《半导体技术》1990年第4期47-50,64,共5页杨德仁 
氮在硅材料中的应用日渐广泛,影响也日渐重要,本文在论述晶体硅中氮的基本性质的同时,综述了近年来氮在硅中的存在形态,氮对硅机械强度的影响以及和氧原子的互相作用等方面的研究成果,并指出了研究中仍然存在的一些问题。
关键词：硅材料 氮 晶体硅 机械强度 半导体 
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