激光器材料

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MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
《人工晶体学报》2012年第S1期285-288,共4页蒋锴 李沛旭 张新 李树强 夏伟 汤庆敏 胡小波 徐现刚 
国家高技术研究发展计划(863计划)专项(2009AA032705);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904;2009CB930503);国家自然科学基金(51021062;11134006)
设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500...
关键词:量子阱激光器 张应变 非对称结构 金属有机物化学气相沉积 
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