激光器材料

作品数：20被引量：22H指数：3
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相关机构：中国科学院长春理工大学北京邮电大学北京师范大学更多>>
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利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1067-1071,共5页钮金真 李国华 
在室温下测量了GaInP/AlGaInP垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的光致发光谱和反射谱 .通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长 .但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信号 .用边激发配置可以测到量子阱的...
关键词：半导体激光器 光致发光 边发射 
二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第3期231-236,共6页韩德俊 朱洪亮 J.G.Simmons Q.C.Zhao 
国家自然科学基金!(批准号 :697860 0 1 );北京科技新星计划基金资助
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的...
关键词：激光器材料 二氧化硅 磷化铟 量子阱 
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