功率型LED

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Si衬底GaN基功率型LED制造技术开发
《中国科技成果》2010年第10期13-13,16,共2页
国家863计划课题（2006AA03A129）.
1课题目的 本课题以发展具有自主知识产权的Si衬底外延生长、芯片制造及功率型LED器件封装核心技术为目的。解决Si衬底GaN基LED外延生长、高效功率型GaN基LED芯片制造及封装技术。
关键词：GAN基LED 功率型LED SI衬底 芯片制造 技术开发 自主知识产权 外延生长 器件封装 
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