关断损耗

作品数：45被引量：72H指数：5
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550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计
《电子产品世界》2020年第9期73-75,79,共4页杨瑞丰 
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的...
关键词：逆导型横向绝缘栅双极晶体管 电压折回现象 绝缘体上硅 导通压降 关断损耗 
飞兆半导体新型1200V IGBT模块
《电子产品世界》2004年第11B期39-39,共1页
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块——FMG2G50US120和FMG2G75US120．它们的电流额定值分别为50A和75A，具有经优化的导通损耗(VCE（sat))与关断损耗(Eoff)，提供非常低的总功率损耗，适于焊接设备、...
关键词：飞兆半导体公司 IGBT模块 关断损耗 不间断电源 VCE 导通损耗 UPS 额定值 电流 
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