光电半导体开关

作品数：4被引量：12H指数：2
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影响超快光电导开关关断特性的主次因素被引量：2
《西安理工大学学报》2008年第4期407-410,共4页王馨梅 施卫 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB310406);国家自然科学基金资助项目(50837005)
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用...
关键词：光电半导体开关 关断特性 影响因素 
非线性光电导开关载流子碰撞电离分析被引量：1
《光子学报》2008年第10期1958-1961,共4页王馨梅 施卫 屈光辉 侯磊 
国家自然科学基金(50477011);国家重点基础研究发展基金(2007CB310406)资助
对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200...
关键词：光电半导体开关 砷化镓 碰撞电离 锁定 连续性方程 
光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第10期1980-1983,共4页王馨梅 施卫 田立强 侯磊 
国家重点基础研究发展计划(2007CB310406);国家自然科学基金(50477011)资助项目~~
对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性.与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有正离子层;...
关键词：光激发单极畴 偶极畴 耿氏效应 光电半导体开关 碰撞电离 
高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究被引量：8
《物理学报》2008年第11期7185-7189,共5页施卫 王馨梅 侯磊 徐鸣 刘峥 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406);国家自然科学基金(批准号:50477011;50837005)资助的课题~~
设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出...
关键词：光电半导体开关 高增益 锁定效应 
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