云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 田立强

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高压ns光电导开关及其击穿特性研究被引量：6: 《高电压技术》2009年第1期59-63,共5页刘红屈光辉王馨梅田立强刘峥徐鸣施卫; 国家自然科学基金(50837005;10876025)~~; 对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,为有效应用这一技术,用有限元方法模拟分析了不同角度刻蚀方案对电极处电场分布的影响,研制了32 kV、峰...; 关键词：砷化镓光电导开关击穿脉冲功率转移电子效应陷阱填充电导模型

高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究被引量：6: 《物理学报》2009年第2期1219-1223,共5页施卫田立强王馨梅徐鸣马德明周良骥刘宏伟谢卫平; 国家自然科学基金(批准号:50837005,10876026);国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406);西安理工大学优秀博士研究基金(批准号:207-210006)资助的课题~~; 研制了耐压达32kV,通态峰值电流达3.7kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能带间隙光导材料(如Si)制作的光电导开关,开关的击穿电压主要由陷阱填充限制电导模型决定.而对于直接能带...; 关键词：光电导开关击穿转移电子效应陷阱填充

光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1980-1983,共4页王馨梅施卫田立强侯磊; 国家重点基础研究发展计划(2007CB310406);国家自然科学基金(50477011)资助项目~~; 对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性.与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有正离子层;...; 关键词：光激发单极畴偶极畴耿氏效应光电半导体开关碰撞电离

Quenched-Domain Mode of Photo-Activated Charge Domain in Semi-Insulating GaAs Devices: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1913-1916,共4页田立强施卫; 国家自然科学基金(批准号:50477011);西安理工大学优秀博士研究基金(批准号:207-210006)资助项目~~; The quenched domain mode of the photo-activated charge domain （PACD） in semi-insulating （SI） GaAs photoconductive semiconductor switches （PCSSs） is observed. We find that the quenched domain is induced by the in...; 关键词：photoconducting switch quenched domain mode equivalent-circuit

Transient Characteristics of a Nonlinear GaAs Photoconductive Semiconductor Switch: 《Journal of Semiconductors》2008年第6期1108-1110,共3页王馨梅施卫屈光辉田立强; 国家自然科学基金资助项目(批准号:50477011)~~; The transient resistance,voltage,and power of a nonlinear GaAs photoconductive semiconductor switch （PCSS） are presented by the finite difference formula to deal with the experiment data, based on the conversation o...; 关键词：photoconductive semiconductor switch lock-on effect nonlinear mode controllable turnoff

Delayed-Dipole Domain Mode of Semi-Insulating GaAs Photoconductive Semiconductor Switches被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第6期819-822,共4页田立强施卫; 国家自然科学基金资助项目(批准号:10390160,10376025,50477011)~~; A mode for the periodicity and weakening surge in semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switches is proposed based on the transferred-electron effect. It is shown that the periodicity and weakening surge ...; 关键词：semi-insulating GaAs photoconductive switch Gunn effect SELF-EXCITATION delayed-dipole domainmode

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性被引量：21: 《Journal of Semiconductors》2004年第6期691-696,共6页施卫田立强; 国家自然科学基金资助项目(批准号 :5 0 0 770 17;10 3 760 2 5 /A0 6)~~; 研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获...; 关键词：砷化镓光电导开关击穿机理

基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究: 《高电压技术》2002年第5期40-42,共3页张显斌李琦田立强屈光辉施卫; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 770 17); 简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限...; 关键词：砷化镓材料高功率超快光电导开关光电器件超快电脉冲

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