硅外延片

作品数：64被引量：74H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李明达袁肇耿薛宏伟陈涛王文林更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司河北普兴电子科技股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所四川广瑞半导体有限公司更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《微电子技术》《微电子学》《证券导刊》更多>>
相关基金：河北省教育厅科研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=科技信息x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CVD法制备高质量硅外延片的工艺研究被引量：3
《科技信息》2013年第22期435-437,共3页王文林 闫锋 李杨 陈涛 
本文采用化学气相沉积(CVD)法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变流量吹扫后可以有效抑制非主动掺杂,提高外延层电阻率的均匀性;衬底表面气流边界层厚度会对外延层的沉...
关键词：化学气相沉积 硅外延层 电阻率均匀性 厚度均匀性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部