硅栅器件

作品数：6被引量：3H指数：1
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硅棚MOS结构的辐射感生界面态被引量：1
《微电子学与计算机》1989年第12期7-11,共5页张玲珊 吾勤之 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 
中科院青年奖励基金
本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?...
关键词：MOS器件 辐射 硅栅器件 界面态 
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