法拉第筒

作品数：67被引量：98H指数：6
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利用法拉第筒测试环形强流电子束束流被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第3期536-540,共5页朱晓欣 谭维兵 苏兆峰 宋玮 胡祥刚 李小泽 
通过优化设计法拉第筒的响应电阻和分布电感,在“TPG700”平台上对无箔二极管阴极发射的环形电子束束流进行轴向测试。结果表明,无波二极管工作在低磁场(<1 T)条件下,在二极管电压较低时,优化后的法拉第筒测试获得的电子束束流前沿较慢...
关键词：束流测量 法拉第筒 二极管电压 二极管电流 
强流平板二极管阻抗特性分析被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第2期338-342,共5页胡杨 杨海亮 张鹏飞 孙江 孙剑锋 
国家自然科学基金资助项目(11305128;11505142;11705150);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室资助项目(SKLIPR1503)
在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作于弱箍缩状...
关键词：阻抗 束流箍缩 强流平板二极管 法拉第筒 
脉冲电场下两种电极材料表面电子发射阈值特性的实验研究被引量：7
《物理学报》2014年第10期330-335,共6页苏兆锋 杨海亮 张鹏飞 来定国 郭建明 任书庆 王强 
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金(批准号:SKLIPR1207)资助的课题~~
研究了金属表面电子发射阈值的测量原理.以待测材料为阴极,以法拉第筒作为阳极收集电子.在"晨光号"加速器上,测量了不同粗糙度的304L不锈钢和铝表面电子发射阈值及经表面涂覆工艺处理后这两种电极材料表面电子发射阈值.研究发现:电极表...
关键词：场致发射 阈值 法拉第筒 “晨光号”加速器 
霍尔推力器束流分布特性实验研究被引量：3
《上海航天》2012年第4期49-53,共5页张乾鹏 康小录 施晨毅 余水淋 
为消除实验设备的影响,获得霍尔推力器羽流的真实特征信息,用在传统法拉第筒前加准直套的方法对推力器羽流进行了实验研究,得到了不同背景压力下离子电流密度的分布。结果表明:改进型法拉第筒能有效屏蔽电荷交换碰撞产生的低能离子,测...
关键词：霍尔推力器 羽流诊断 束流分布 法拉第筒 
测量行波管电子注的法拉第筒的热分析被引量：1
《强激光与粒子束》2011年第9期2461-2464,共4页韦宇祥 黄明光 刘濮鲲 郝保良 赵世柯 
国家自然科学基金项目(60931001)
利用ANSYS软件对测量行波管电子注截面的法拉第筒探头进行了热分析研究。分析了在单脉冲情况下,测量各种直径的不同脉冲功率密度的电子注、不同脉冲宽度对法拉第筒温度的影响,研究了测量不同功率密度的电子注可以使用的脉冲宽度。结果表...
关键词：行波管电子注 法拉第筒探头 温度 功率密度 脉冲宽度 重复频率 
中核集团公司成功研制磁控法拉第筒
《润滑与密封》2011年第6期43-43,共1页
近日,磁控法拉弟筒由中核集团原子能院核物理研究所研制成功并投入使用。法拉第筒是束流测量的专用设备,广泛应用于加速器等领域。在高真空瞬间冲击力下,法拉第筒波纹很易损坏。更换法拉第筒波纹管不仅繁琐需要花费大量时间,而且检修人...
关键词：中核集团公司 法拉第筒 磁控 物理研究所 放射性剂量 专用设备 束流测量 检修人员 
限口法拉第筒性能的初步测量
《中国原子能科学研究院年报》2008年第1期176-176,共1页苏丹 林敏 徐利军 陈义珍 孟宪芳 陈克胜 王风 金晓峰 夏文 叶宏生 武昌平 
在5SDH串列加速器上对自制限口法拉第筒（LOFC）的性能进行了初步性能测试。质子束流强度约为50nA，质子能量为3．4MeV，真空度为1×10^-7Pa。由于束流强度较小，束流存在一定的不稳定性，因此，利用六通在与零度方向成30。位置放置金...
关键词：性能测试 法拉第筒 金硅面垒探测器 测量 束流强度 串列加速器 不稳定性 束流监测 
法拉第筒负高压环的改进
《中国原子能科学研究院年报》2007年第1期207-207,共1页苏丹 林敏 陈义珍 孟宪芳 徐利军 陈克胜 叶宏生 金晓峰 崔莹 肖振红 
在用法拉第筒校准丙氨酸剂量计对质子的吸收剂量研究中，把法拉第筒置于丙氨酸剂量计之后，以法拉第筒为绝对测量标准来校准剂量计的吸收剂量，这就要求法拉第筒测量束流的准确性非常高。为了更加准确测量质子的吸收剂量，对法拉第筒经...
关键词：法拉第筒 质子束流 压环 吸收剂量 测量标准 剂量计 准确测量 丙氨酸 
CF_4/Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO_2刻蚀速率的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2004年第3期327-331,共5页孔华 辛煜 黄松 宁兆元 
国家自然科学基金项目(No.10175048)
在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用“法拉第筒”式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系。在所施加的-20～300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值<100V时,归一化刻蚀速率的大小与基...
关键词：感应耦合等离子体 法拉第筒 归一化刻蚀速率 入射角 SiO2 
双源注入机中消除二次电子对束流测量影响的新方法
《天津师大学报（自然科学版）》1997年第3期27-31,共5页郭希铭 李毅 叶维 
天津市科委重点学科资助项目
在离子注入技术中，获得准确注入剂量的关键是如何消除二次电子对束流测量带来的影响．通过实验证实了二次电子对正离子束的影响．采用了在靶室内加入侧向正电场的方法。
关键词：二次电子 束流测量 法拉第筒 双源离了注入机 
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