费米分布

作品数：17被引量：11H指数：2
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费米分布等离子体中的韦伯不稳定性
《南昌大学学报（理科版）》2013年第2期171-174,共4页刘钰芳 刘三秋 陈辉 
国家自然科学基金重点项目(11178002);2011年高等学校博士学科点专项科研基金项目(201136001110007);江西省科技创新基金项目(20114ACB00900)
基于经典的等离子体弗拉索夫-麦克斯韦动理学理论,研究具有任意简并的无磁化各向异性费米分布等离子体中韦伯不稳定性。在非简并态极限下得到的结果与麦克斯韦分布情况下的解析结果一致。对于任意简并态,利用数值分析得到了韦伯不稳定...
关键词：韦伯不稳定性 各向异性费米分布 简并 弗拉索夫-麦克斯韦系统 
金属热电子发射和光电效应逸出功微观机制的区别被引量：1
《科技视界》2012年第19期194-194,152,共2页陈舒 
分析了金属热电子发射和光电效应两个物理现象中参与电子的微观机制的区别,提出光电效应中逸出功的表达式,对同一种金属而言,其光电效应光电子逸出功总大于热电子发射对应的逸出功。
关键词：金属表面势垒 费米分布 费米能 逸出功 
GaAs导带中电子自旋极化的能量演化
《科学技术与工程》2011年第32期7884-7887,共4页滕利华 牟丽君 
青岛科技大学科研启动基金课题资助
考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化。计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3。发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非...
关键词：电子初始自旋极化度 带隙重整化效应 费米分布 GAAS 
考虑禁带情况下半导体的电子与空穴分布
《陕西科技大学学报（自然科学版）》2010年第1期124-127,共4页姚毅 张方辉 靳宝安 张麦丽 马颖 
陕西省专利产业化项目(2005ZZ-04);陕西省教育厅产业化项目(06JC23)
在考虑禁带特性的情况下,从理论上探讨了半导体中电子与空穴的分布.以Si为例,利用MATLAB定量分析了不同能量时本征Si半导体中电子占据导带底的几率-温度关系和不同温度时电子占据导带底的几率-能量关系.分析结果表明:导带中绝大多数电...
关键词：费米分布 费米能级 波尔兹曼分布 
热力学统计物理中化学势的计算被引量：2
《咸阳师范学院学报》2009年第2期29-31,共3页马晴 
咸阳师范学院教改项目(200801007)
以能量、熵和吉不斯函数为依托,对化学势进行计算,分别对理想气体、玻色气体的化学势进行了理论推导,得到了其化学势与温度及压强的确定函数关系,并分析了化学势在玻色—爱因斯坦凝聚现象中的一些应用。进而用matlab语言编写相关计算程...
关键词：化学势 玻色分布 费米分布. 
简并金属等离子体纵振荡的色散关系
《南昌大学学报（理科版）》2007年第6期549-553,共5页肖庆生 刘三秋 张文东 陈约奇 
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-05-0575);江西省跨世纪学术和技术带头人培养计划资助项目(040010)
在计入离子运动对色散关系产生影响的基础上,数值求解了完全简并金属等离子体中纵振荡的完全色散关系。将其色散曲线与纯电子等离子体色散曲线对比,得到了是否需要考虑离子贡献的分界线。此外,对比不同电子-离子温度比值、不同电子温度...
关键词：金属等离子体 费米分布 色散关系 
费米分布相对论等离子体的色散关系被引量：4
《强激光与粒子束》2006年第2期313-316,共4页陈约奇 刘三秋 姜卫群 
国家自然科学基金资助课题(10445007)
将Mikhailovskii色散关系的理论用于费米分布的等离子体中,分别对纵振荡和横振荡进行数值模拟。结果表明,该方法得到的色散关系在极端相对论条件下不仅与Mikhailovskii的理论相吻合,还得到了Mikhailovskii没有涉及的范围内的色散关系。...
关键词：等离子体 色散关系 相对论 费米分布 
热力学统计物理中的化学势被引量：3
《山东建筑工程学院学报》2005年第4期90-93,共4页张宝金 张宁玉 
主要介绍化学势在热力学统计物理中几个知识点处的计算与应用:用热力学方法计算理想气体的化学势;系统相变过程中的化学势并由此推导克拉珀龙方程;用统计方法计算遵从玻耳兹曼统计的理想气体的化学势;在玻色分布中,推导玻色———爱因...
关键词：化学势 熵 玻耳兹曼 玻色 费米分布 
不同统计法对理想气体的Cp-Cv值的影响
《石家庄师范专科学校学报》2004年第6期4-8,21,共6页杨志全 
讨论了理想玻色气体和理想费米气体的“Cp-Cv”在不同的温度范围内有不同的数值,从而可以看出理想气体遵从不同的统计法时对Cp-Cv值有影响.
关键词：理想气体 玻色分布 费米分布 热容量 压强值 体积值 统计方法 
晶体管、MOS 器件
《电子科技文摘》2002年第4期19-19,共1页
0206014InGaP/GaAs HBT 费米统计律下的效值模拟计算[刊]/彭鹏//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—379～383(C)用费米分布函数对 HBT 结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热...
关键词：器件模拟 MOS 费米分布 彭鹏 功能材料 扩散模型 玻尔兹曼 热场 数值模拟 在线测试系统 
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