盖革模式

作品数：59被引量：231H指数：10
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相关作者：陈钱许金通罗韩君赵毅强孙志斌更多>>
相关机构：浜松光子学株式会社中国科学院中国科学院大学南京理工大学更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《激光与红外》更多>>
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一种用于自由运转SPAD的高速淬灭电路设计被引量：1
《半导体光电》2021年第3期402-406,共5页李云铎 叶联华 刘煦 黄松垒 黄张成 龚海梅 
上海市自然科学基金项目(19ZR1465500)。
针对标准CMOS工艺的单光子雪崩探测器(Single Photon Avalanche Detector,SPAD),设计了一种可用于自由运转模式的高速淬灭电路。为了实现淬灭电路的功能设计与精准仿真,根据实测的SPAD电流-电压曲线拟合得到了电流与电压间的多段式函数...
关键词：SPAD 盖革模式 淬灭电路 自由运转 
基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统被引量：2
《半导体光电》2019年第4期571-574,580,共5页尹文 许金通 张惠鹰 李向阳 
国家自然科学基金项目(61774162)
针对工作在盖革模式下的硅基雪崩光电二极管(APD)进行了接收电路的设计,通过主动淬灭加快恢复的方式,对APD偏压进行调控,利用单稳态触发器使淬灭信号和恢复信号独立控制APD阳极的电压,从而同时控制淬灭时间和恢复时间,将死时间缩短至100...
关键词：雪崩光电二极管 盖革模式 主动抑制 快恢复 计数 
InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究被引量：2
《半导体光电》2018年第3期326-331,353,共7页侯丽丽 韩勤 王帅 叶焓 
国家重点研发计划项目(2016YFB0402404);国家自然科学基金项目(61674136;61635010;61435002)
InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续...
关键词：盖革模式 INGAAS/INP 雪崩光电二极管 阵列 均匀性 
InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制被引量：14
《半导体光电》2015年第3期356-360,391,共6页张秀川 蒋利群 高新江 陈伟 奚水清 姚科明 兰逸君 卢杰 
部级基金项目.
设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个...
关键词：三维成像 单光子 盖革模式 焦平面阵列 
边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响被引量：1
《半导体光电》2015年第3期361-364,399,共5页迟殿鑫 高新江 姚科明 陈伟 张承 
部级基金项目.
基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了...
关键词：盖革模式 SAM 边缘击穿抑制 暗计数率 探测效率 后脉冲概率 过偏压 
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