高K材料

作品数：29被引量：44H指数：4
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先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展被引量：1
《微电子学》2009年第6期829-834,共6页李永亮 徐秋霞 
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和s杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现...
关键词：高K材料 金属栅 费米能级钉扎效应 盖帽层 离子注入 功函数 
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