暗电流

作品数：437被引量：969H指数：13
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基于非富勒烯受体的可见光-近红外有机光电探测器模拟研究
《半导体光电》2023年第3期330-335,共6页陆之南 孙久勋 
高灵敏度的有机光电探测器(OPD)具有从可见光到近红外(NIR)的宽带响应和优异的整体器件性能,在包括高质量生物成像在内的各种应用中起到了非常重要的作用。文章使用Silvaco TCAD模拟了一种活性层由宽带隙聚合物PBDTTT-C-T作为给体以及...
关键词：Silvaco TCAD 有机光电探测器 非富勒烯受体 暗电流密度 外量子效率 
640×512-5μm InGaAs短波红外焦平面读出电路设计
《半导体光电》2023年第3期350-355,共6页陆逸凡 汪鸿祎 陶文刚 曹嘉晟 田宇 景松 黄松垒 李雪 
国家自然科学基金项目(62175250);中国科学院青年创新促进会项目(2020245)。
为了适应第三代红外焦平面高密度、微型化发展方向,设计了一款大面阵小像元低功耗640×512-5μm InGaAs短波红外焦平面读出电路。重点研究了3T像素单元简易结构的性能,分析其对芯片暗电流、焦平面噪声的影响,实现了卷帘曝光工作方式、...
关键词：小像元 红外焦平面阵列 读出电路 CTIA结构 暗电流 
级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
《半导体光电》2020年第1期20-24,共5页张承 黄晓峰 迟殿鑫 唐艳 王立 柴松刚 崔大健 莫才平 高新江 
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗...
关键词：InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管 暗电流 表面漏电流 缺陷辅助隧穿电流 缺陷浓度 
As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响被引量：1
《半导体光电》2018年第5期607-611,653,共6页方俊 孙令 刘洁 
对As_2和As_4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的性能进行了研究,发现As2条件下生长的单层AlGaAs材料荧光强度更大、深能级缺陷密度更低;相对于As4较为复杂的...
关键词：分子束外延 InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 As元素分子态 暗电流 
Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响被引量：4
《半导体光电》2017年第6期802-805,共4页丰亚洁 何晓颖 刘巧莉 王华强 李冲 胡宗海 郭霞 
国家自然科学基金项目(61335004;61675046;61505003);国家"973"计划项目(2016YFB0400603);国家"863"计划项目(2015AA017101)
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结...
关键词：Si基光电探测器 电场隔离结构 暗电流 
双结光电二极管荧光检测单元暗电流优化设计被引量：1
《半导体光电》2017年第5期670-672,共3页施朝霞 李如春 
国家自然科学基金项目(61306090);浙江省自然科学基金项目(LY17F040004)
双结p+/n-well/p-sub光电二极管由于其较高灵敏度、低暗电流而成为荧光检测光电传感单元的最佳选择。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结p+/n-well/p-sub光电二极管进行了版图优化设计,有效减少了硅和二氧化硅界面对光电二极管光吸收区暗电...
关键词：双结光电二极管 暗电流 版图优化 荧光检测 
延伸波长InGaAs焦平面用低失调电压输入级电路研究
《半导体光电》2015年第6期884-887,共4页张雪 黄松垒 黄张成 
国家"973"计划项目(2012CB619200);国家自然科学基金项目(61306064)
截止波长为2.5μm的延伸波长InGaAs探测器在航天航空遥感等领域有着重要应用。由于晶格失配,相同温度下它的暗电流比截止波长为1.7μm的常规InGaAs探测器高2～3个数量级。从焦平面的耦合接口出发,研究了一种新型的Autozero输入级电路,...
关键词：延伸波长 暗电流 失调电压 自调零 开关漏电流 
短波红外In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器的实时γ辐照研究被引量：2
《半导体光电》2015年第6期901-904,共4页黄星 李雪 李淘 唐恒敬 邵秀梅 龚海梅 
国家"973"计划项目(2012CB619200);国家自然科学基金项目(61205105;61376052)
空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对晶格匹配In0.53Ga0..47As探测器电流-电压特性的影响。发现在反向偏压下,辐照在器件中引起的光电流约为2n...
关键词：红外探测器 铟镓砷 空间应用 Γ辐照 暗电流 
ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究被引量：1
《半导体光电》2015年第1期20-23,共4页刘秀娟 张燕 李向阳 
国家自然科学基金项目(61204134;61106097)
采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/AlGaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比。制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电...
关键词：紫外探测器 暗电流 钝化膜 GaN/AlGaN DARK CURRENT 
基于光探测器位移损伤效应的卫星光通信误码率特性研究
《半导体光电》2013年第6期1039-1042,1062,共5页刘韵 赵尚弘 杨生胜 李勇军 强若馨 
分析了空间电离辐射的位移损伤效应影响下InGaAs PIN光探测器暗电流的损伤特性,在此基础上建立了强度调制直接检测模式的卫星光通信系统误码率模型。仿真结果表明:暗电流与辐照注量近似呈对数线性变化;误码率在辐照注量小于108 cm-2时...
关键词：误码率 位移损伤效应 PIN光探测器 暗电流 判决阈值 
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