半导体超晶格

作品数：149被引量：62H指数：3
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半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系被引量：1
《半导体杂志》2000年第1期43-46,共4页彭英才 傅广生 
半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。它的确立、研究与发展 ,不仅对现代电子信息科技 ,而且对低维体系物理、新型材料科学和纳米科学技术的发展都产生了革命性的影响。今天 ...
关键词：半导体超晶格 边缘学科 凝聚态物理学 
半导体超晶格物理与器件（终篇）被引量：1
《半导体杂志》1996年第3期50-55,共6页彭英才 
半导体超晶格物理与器件（终篇）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）五、谐振隧穿量子效应器件谐振隧穿是电子在垂直于超晶格异质结方向输运性质研究的一个重要环节［４６～４７］。从本质上讲，垂直输运是电子和空穴在一...
关键词：半导体物理 超晶格物理 器件 
半导体超晶格物理与器件(20)
《半导体杂志》1996年第2期51-55,共5页彭英才 
在半导体超晶格物理与器件的研究中,锗硅超晶格、异质结、量子阱材料与器件的研究占据着十分重要的地位.这是因为,以Si_(1-x)Ge_x/Si和Ge/Si为主的硅基低维材料具有许多显著不同于体单晶硅,而且相异于Ⅲ-V族超晶格的优异性质,如可生长...
关键词：半导体 超晶格物理 器件 
半导体超晶格物理与器件(19)被引量：1
《半导体杂志》1996年第1期51-55,共5页彭英才 
在半导体超晶格物理与器件的研究中,锗硅超晶格、异质结、量子阱材料与器件的研究占据着十分重要的地位.这是因为,以Si_(1-x)Ge_x/Si和Ge/Si为主的硅基低维材料具有许多显著不同于体单晶硅,而且相异于Ⅲ-V族超晶格的优异性质,如可生长...
关键词：半导体超晶格 量子线激光器 物理 量子点激光器 
半导体超晶格物理与器件（17）
《半导体杂志》1995年第3期50-55,共6页彭英才 
半导体超晶格物理与器件（１７）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第五章量子效应器件量子效应器件是指利用超晶格、量子以、量子线和量子点等微结构和超微结构所具有的各种量子化效应设计和制作的新一代电子器件，这是...
关键词：半导体 超晶格物理 半导体器件 
半导体超晶格物理与器件（16）
《半导体杂志》1995年第2期49-55,共7页彭英才 
半导体超晶格物理与器件（１６）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）三、纳米半导体结构的光学性质所谓纳米半导体结构一般是指结构尺寸为几～几＋ｎｍ的低维量子体系。目前研究最活跃的有采用选择外延生长技术制备的量子...
关键词：半导体超晶格 物理 纳米半导体结构 
半导体超晶格微结构中的多能谷效应（2）
《半导体杂志》1995年第2期25-33,共9页薛舫时 
半导体超晶格微结构中的多能谷效应（２）薛舫时（半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所２１００１６）六、异质谷间转移电子效应和Ｘ电子发生器ＧａＡＳ是直接带隙材料，它的导带底位于布里渊区中心Γ点。而ＡｌＡｓ是间接...
关键词：半导体超晶格 多能谷效应 微结构 
半导体超晶格物理与器件(15)
《半导体杂志》1995年第1期49-55,共7页彭英才 
二、量子细线与量子点微结构中的电子输运除了微小隧道结外,具有二维和三维量子封闭性的量子细线与量子点,也是一类典型的介观体系。如同具有一维量子封闭性的超晶格异质结一样,电子输运现象也是这种超微结构中的一个最基本和最主要的...
关键词：半导体 超晶格 晶体物理 器件 
半导体超晶格物理与器件（14）
《半导体杂志》1994年第4期47-52,17,共7页彭英才 
半导体超晶格物理与器件（１４）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第四章半导体介观体系的物理介观体系的物理是凝聚态物理中发展得很快的一个研究领域。从历史上讲，它源于７０年代末和８０年代初对无序体系电子输运性...
关键词：半导体超晶格 量子阱 半导体介观物理 
半导体超晶格物理与器件（13）
《半导体杂志》1994年第3期47-53,共7页彭英才 
半导体超晶格物理与器件（１３）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）三、半导体表面与异质结界面的ＳＴＭ观测扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭＩｃｒｏｓｔｏｐｙ－ＳＴＭ）是８０年代的初期发展起...
关键词：半导体器件 超晶格物理 异质结 
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