半导体断路开关

作品数：28被引量：83H指数：6
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快速关断半导体开关工作特性及实验研究被引量：4
《强激光与粒子束》2020年第2期76-80,共5页王淦平 李飞 金晓 宋法伦 张琦 
国家高技术研究计划项目;装备预研重点实验室基金项目
介绍了快速关断半导体开关(DSRD)的工作原理,研究了开关内部的物理过程,分析了系统参数对开关输出特性的影响,研究发现:基区材料的击穿阈值越高、载流子饱和漂移速度越大输出电压上升速率越快;基区高的电场击穿阈值或低的掺杂浓度会增...
关键词：固态脉冲发生器 高功率半导体断路开关 快前沿脉冲 脉冲功率技术 
纳秒级高压脉冲电源的设计与仿真
《电器与能效管理技术》2016年第8期63-68,共6页张晗 
利用电力电子技术与脉冲功率技术设计了一台纳秒级高压脉冲电源。电源低压部分采用电力电子技术中的BUCK电路与串联谐振电路,高压部分采用脉冲功率技术中的磁脉冲压缩(MPC)网络与半导体断路开关(SOS)。对高压脉冲电源的整体设计作了阐述...
关键词：电力电子技术 脉冲功率技术 纳秒级高压脉冲电源 磁脉冲压缩 半导体断路开关 PSPICE软件 
数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性被引量：1
《现代电子技术》2010年第12期179-181,共3页杨海燕 赵西安 
半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P+-P-N-N+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断...
关键词：半导体断路开关 脉冲功率源 数值模拟 电流截断特性 
全固态脉冲功率源驱动Ka波段相对论返波管振荡器
《强激光与粒子束》2010年第4期834-836,共3页曹胜光 钱宝良 贺军涛 王弘刚 李达 
利用基于SOS的固态脉冲功率源进行了Ka波段相对论返波管振荡器（RBWO）的实验研究。该固态脉冲功率源工作电压200-360 kV,工作电流约2.6 kA,脉宽约20 ns,脉冲上升前沿约9 ns。SOS固态脉冲功率源驱动Ka波段BWO的实验结果为：微波频率36-3...
关键词：相对论返波管 高功率微波 脉冲功率源 半导体断路开关 
基于半导体断路开关的脉冲功率源及其应用被引量：2
《真空电子技术》2008年第1期12-15,共4页杨海燕 刘纯亮 
半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用于脉冲功率源的传统器件相比,基于SOS的脉冲功率源更简单、可靠,其脉冲重复频率可达到kHz。介绍了SOS和基...
关键词：半导体断路开关 脉冲功率源 真空放电装置 
半导体断路开关数值模拟被引量：6
《强激光与粒子束》2005年第12期1893-1896,共4页何锋 苏建仓 李永东 刘纯亮 孙鉴 
国家863计划项目资助课题
为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究。通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦...
关键词：半导体断路开关 电流截断效应 脉冲功率 数值模拟 
基于SOS的脉冲功率源技术新进展被引量：32
《强激光与粒子束》2005年第8期1195-1200,共6页苏建仓 刘国治 丁臻捷 丁永忠 俞建国 宋晓欣 黄文华 浩庆松 
国家863计划项目资助课题
研制了基于SOS的胡杨200和胡杨700脉冲功率源。给出了胡杨200和胡杨700的电路原理、组成结构和实验波形。介绍了在SOS脉冲功率源上开展的高重复频率强流电子束产生、长寿命阴极实验、绝缘介质的高重复频率击穿实验和低引导磁场无箔二极...
关键词：半导体断路开关 脉冲功率源 磁脉冲压缩器 强流电子柬 
新型半导体断路开关及其脉冲功率发生器被引量：2
《电力电子》2005年第3期57-60,共4页刘玉华 余岳辉 周郁明 梁琳 
基于半导体断路开关(SOS)的脉冲功率发生器是一种新型的全固态开关系统,具有输出脉冲电压高、使用寿命长、可靠性和重复率高的特点。本文详细介绍了SOS效应与断路开关的工作原理,研究了基于SOS的脉冲功率发生器电路结构并对开关电流进...
关键词：脉冲功率 断路开关 发生器 半导体 仿真结果 开关系统 脉冲电压 使用寿命 工作原理 
半导体断路开关实验研究被引量：10
《强激光与粒子束》2002年第6期949-953,共5页苏建仓 丁永忠 宋志敏 丁臻捷 刘国治 刘纯亮 
国家863激光技术领域资助课题
　介绍了半导体断路开关(SOS)特性参数测试平台和测试方法,并对半导体断路开关的截断阻抗、截断时间、电压增益、输出脉冲半高宽以及能量传递效率等参数进行了实验研究。结果表明,正、反向泵浦时间是影响半导体断路开关特性的最主要因...
关键词：半导体断路开关 脉冲功率 能量传递效率 脉冲功率技术 
半导体断路开关及其应用被引量：9
《高电压技术》2002年第B12期23-25,共3页张适昌 严萍 王珏 
介绍了一种新型的半导体断路开关 ,它采用 P+ - P- N - N+ 的半导体结构 ,可完成亚 ns级的关断 ,关断电流达数 k A、承受反向电压达百 k V、重复频率达数 k Hz。在介绍SOS结构和主要特性的基础上 ,还介绍了基于
关键词：半导体 断路开关 应用 脉冲功率 SOS结构 
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