半导体结构

作品数：54被引量：40H指数：3
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MIS（Au－SiO_2－Si）隧道发光结被引量：6
《Journal of Semiconductors》1996年第11期817-821,共5页蔡益民 孙承烋 高中林 
在研究一般ＭＩＭ（Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｕ）结的基础上，为了克服Ａｌ的不稳定性和改善结的性能，我们采用半导体材料Ｓｉ代替Ａｌ，研制成功ＭＩＳ（Ａｕ－ＳｉＯ２－Ｓｉ）隧道结，观察到了稳定的发光现象．介绍了ＭＩＳ结的基本结...
关键词：MIS结 半导体材料 半导体结构 
GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1996年第11期869-872,共4页杨小平 张伟 陈宗圭 王凤莲 田金法 邓元明 郑厚植 高旻 段晓峰 
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时...
关键词：砷化镓 砷化铟 半导体结构 
非对称双势垒结构中电子态的特异性
《Journal of Semiconductors》1995年第7期552-557,共6页宋爱民 郑厚植 
国家攀登计划重大项目
在包络波函数近似下自洽计算了非对称双势垒结构（ＤＢＳ）中的电子态，并正确得到了积累区和中央势阶中准束缚能级Ｅａｃ、Ｅｗｅ随偏压变化的反交叉过程．结果首次揭示了如果适当选取ＤＢＳ的入射垒厚度，随着外加电场不断增加，在过...
关键词：DBS 电子态 特异性 半导体结构 
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