半导体三极管

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2890万美元项目研制新型GaN晶体管
《半导体信息》2009年第6期9-,共1页韩潇 
美国国防部高等研究计划局与Northrop Grumman公司签订了一项2890万美元的合同。负责电子和传感器开发的副董事Streit称,该项目能使新型GaN晶体管和集成电路技术得到发展。
关键词：美元 计划局 本位币 晶体管 半导体三极管 GAN 
高导性碳纳米管可转换为半导体
《半导体信息》2009年第6期20-,共1页章从福 
美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。
关键词：碳纳米管 晶体管 紫外线 空气 半导体三极管 电磁波 工业气体 碳原子 导性 
IMEC研发10nm晶体管的可行性
《半导体信息》2009年第5期2-,共1页孙再吉 
关键词：晶体管 半导体三极管 IMEC 高迁移率 NM 
计算机晶体管技术酝酿变革
《半导体信息》2009年第5期2-3,共2页刘广荣 
关键词：计算机 纳米 处理器 英特尔公司 半导体三极管 晶体管 
TriQuint展示其具革命性的高功率宽带RF晶体管
《半导体信息》2009年第4期2-,共1页陈裕权 
关键词：晶体管 半导体三极管 TRIQUINT RF 宽带 革命性 
富士通采用CMOS工艺开发高耐压晶体管
《半导体信息》2009年第4期17-,共1页孙再吉 
关键词：晶体管 工艺开发 半导体三极管 高耐压 CMOS 富士通 
英飞凌发布输出功率为300W的新一代手机基站装置用LDMOS晶体管
《半导体信息》2009年第4期22-,共1页章从福 
关键词：输出功率 英飞凌 LDMOS 放大器 电子设备 手机 基站 晶体管 半导体三极管 装置 
L波段LDMOS晶体管
《半导体信息》2009年第3期8-,共1页刘广荣 
关键词：LDMOS NXP 晶体管 半导体三极管 波段 
最小静态随机存取存储器元件研制成功
《半导体信息》2009年第3期20-,共1页江兴 
关键词：鳍式 晶体管 半导体三极管 SRAM 
物理学家在“晶体管”中发现新物态
《半导体信息》2009年第2期18-19,共2页邹勉 
关键词：晶体管 半导体三极管 量子物理学 物态 摩尔定律 
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