半导体三极管

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晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2006年第9期29-30,共2页
0622908采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET[刊,中]/李竞春//固体电子学研究与进展．—2006,26 (2)．—162-165(D) 0622909 SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型[刊,中]/邹晓//固体电子学研究与进展．—2006,26(2)．—148-151,156 (D) 0622...
关键词：器件 MOS 晶体管 半导体三极管 干法刻蚀 直流特性 ALGAN 泄漏电流 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2006年第7期25-25,共1页
关键词：MOS 晶体管 半导体三极管 器件 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2006年第5期33-34,共2页
0611539 InGaP/InGaAs双delta掺杂沟道晶体管=InGaP／InGaAs double delta-doped channel transistor[刊,英]／ Hung-Ming Chuang,Shiou-Ying Cheng／／Electronics Letters．-2003,39(13)．-1016-1017(E)
关键词：晶体管 半导体三极管 MOS 器件 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2006年第4期33-34,共2页
关键词：晶体管 半导体三极管 MOS ALGAN 器件 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2006年第3期24-24,共1页
0605788 RF测量中MOSFET偏压相关串联电阻提取=MOS- FET bias dependent series resistance extraction from RF measurements[刊,英]/R．Torres-Torres,R．S．Murphy- Arteaga//Electronics Letters．-2003,39(20)．-1476- 1477(E)
关键词：MOS 器件 晶体管 半导体三极管 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2006年第2期26-27,共2页
0603328 铜空气桥低噪声GaAs PHEMT用WNx扩散势垒= Use of WNx as diffusion barrier for copper airbridged low noise GaAs PHEMT[刊,英]／H．C．Changj,E．Y． Chang／／Electronics Letters．-2003,39(24)．-1763-1764(E)
关键词：晶体管 半导体三极管 MOS 器件 
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