半导体微腔

作品数：35被引量：47H指数：4
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三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1319-1323,共5页刘文楷 林世鸣 安艳伟 张存善 
半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元 ,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式 .本文计算了远离截止近似下 ,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系 ;及腔模和激子模耦合后 ,三维半导体柱型微腔中...
关键词：半导体微腔 腔极化激元 激子 
分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第3期335-339,共5页刘宝利 王炳燊 徐仲英 
国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :197740 45 )&&
从光学传输矩阵方法出发 ,研究了分布布拉格反射器 (DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响 ;同时指出了 DBR对于λ0 / 2和λ0
关键词：半导体平面微腔 光学传输矩阵 分布布拉格反射器 激光器 
含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第5期385-388,共4页王文利 姬扬 郑厚植 
本文从基本的光跃迁理论出发，用半经典的线性色散模型，计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱．计算结果表明，当吸收系数取２×１０－２ｎｍ－１时，在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰，并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽．
关键词：分子束外延 MOCVD 半导体微腔 透射谱 量子阱 
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