薄膜电阻器

作品数：32被引量：29H指数：3
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AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究
《压电与声光》2016年第6期920-922,共3页赵祖静 张怀武 唐晓莉 
国家自然科学基金资助项目(50972023)
利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基...
关键词：磁控溅射 镍锌铁氧体基片 AlN薄膜缓冲层 TaN薄膜电阻器 功率密度 
CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究被引量：1
《压电与声光》2015年第3期460-463,共4页黄子宽 张怀武 唐晓莉 
国家自然科学基金资助项目(50972023)
采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得...
关键词：镍锌铁氧体基片 TaN薄膜电阻器 CAS玻璃釉 功率 
被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备
《压电与声光》2015年第3期540-542,共3页张鹏 杨传仁 曾理 陈宏伟 杨俊峰 张继华 
广东省教育部产学研结合基金资助项目(2012B091000059)
基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻...
关键词：薄膜电阻器 TaN薄膜 玻璃釉 BeO陶瓷基片 射频磁控溅射 
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