本征吸杂

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CMOS外延本征吸杂技术研究
《微处理机》1991年第4期64-66,30,共4页杨正泉 于立新 李正孝 
本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。
关键词：CMOS 集成电路 外延 本征吸杂 硅片 
离子注入CMOSlK静态随机存贮器
《微处理机》1985年第1期25-30,共6页蒋培成 杨华丽 
一、前言CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰性能强,允许电源范围大和使用方便等优点,深受用户欢迎。在制作上,由于硅栅局部氧化、离子泾入和尺寸微细化,CMOS电路的集成度和性能进一步提高。国外。
关键词：离子注入 多晶硅 存贮器 CMOSlK 流片 离子掺杂 存储器 本征吸杂 场氧化层 开启电压 
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