NMOS

作品数：211被引量：189H指数：6
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基于时间控制技术的双NMOS降压直流转换器
《微处理机》2024年第1期23-26,共4页梁博文 辛晓宁 任建 聂彤 
为有效降低系统功耗,设计一种基于时间控制的降压直流转换器。该系统架构以时间作为处理变量,使用CMOS级类数字信号,同时不增加任何量化误差。在积分器设计中使用环形振荡器代替传统上的运算放大器,以有效降低功耗。增加延迟线,实现电...
关键词：BUCK电路 DC-DC转换器 低功耗 时间控制技术 
电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化被引量：1
《微处理机》2019年第2期26-29,共4页刘春艳 李媛 
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反...
关键词：阈值电压 栅氧化层厚度 掺杂浓度 导电沟道宽长比 瞬态特性 
栅接地NMOS管的ESD特性研究被引量：1
《微处理机》2015年第1期5-6,9,共3页任志伟 崔艾东 
ESD电路的作用是保护集成电路,使静电不损坏芯片内部电路,不造成集成电路失效,因此ESD研究是集成电路可靠性研究的重点方向之一。在新工艺下根据电路特点,设计GGNMOS器件的防护单元,为提供有效可靠的ESD防护起到至关重要的作用。
关键词：集成电路 静电释放 栅接地 NMOS 
多层NMOS技术对I/O接口的ESD保护作用
《微处理机》2005年第6期7-9,共3页李翠 柳海生 袁晓岚 
本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端。与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容。在0.35μmCMOS工序中,有不同参数布局的ESD SNTSCR工艺已经研究过。带有120μm NMO...
关键词：静电放电(ESD) ESD保护 多种组合电平I/O端 控制硅整流器(SCR) 
仿真在NMOS电路设计中的应用
《微处理机》2005年第2期21-22,共2页方伟 周晶 刘懋 杨东 
本文重点介绍实现NMOS结构数字仿真的一些方法
关键词：仿真 NMOS结构 数字模型 
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