N通道

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Diodes新型MOSFET离板高度减半
《电源技术应用》2012年第5期I0005-I0005,共1页
Diodes Incorporated推出一系列采用薄型DFN2020—6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0．4毫米，
关键词：MOSFET 板 N通道 封装 
恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET
《电源技术应用》2009年第8期77-77,共1页
恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）日前宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2—25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power—SO8封装...
关键词：MOSFET 无损耗封装 POWER 半导体公司 低导通电阻 N通道 飞利浦 FOM 
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