N型掺杂

作品数：55被引量：98H指数：5
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：黄诗浩赵庆勋王若铮王宏兴赵丹更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学河北工业大学清华大学更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《金属功能材料》《低温物理学报》更多>>
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一种新型的高维持电压可控硅被引量：1
《微电子学》2018年第6期811-814,共4页尹沙楠 李浩亮 刘志伟 刘俊杰 仝壮 
高等学校学科创新引智计划资助项目(B13042)
可控硅(SCR)作为静电放电(ESD)保护器件,因具有高的鲁棒性而被广泛应用,但其维持电压很低,容易导致闩锁问题。针对高压集成电路的ESD保护,提出了一种新颖的具有高维持电压的SCR结构(HHVSCR)。通过添加一个重掺杂的N型掺杂层(NIL),减小了...
关键词：静电放电 可控硅 高维持电压 N型掺杂层 
ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
《微电子学》2012年第6期881-884,共4页张家奇 杨秋旻 赵杰 崔利杰 刘超 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰...
关键词：硒化锌 N型掺杂 分子束外延 II-VI族化合物半导体 
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