氮化物半导体材料

作品数：7被引量：18H指数：2
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氮化物半导体电子器件新进展被引量：11
《科学通报》2015年第10期874-881,共8页郝跃 张金风 张进成 马晓华 郑雪峰 
氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮...
关键词：氮化物半导体材料 微波功率器件 电力电子器件 
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