氮化物半导体材料

作品数：7被引量：18H指数：2
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述被引量：5
《稀有金属》1997年第1期52-57,67,共7页李玉增 
综述了ＧａＮ、ＡｌＮ及其固溶体等ⅢⅤ族氮化物半导体材料的结构、性能与ＭＯＣＶＤ生长技术，并着重阐明其研制。
关键词：氮化钙 氮化铝 MOCVD MBE 半导体 
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