RESURF结构

作品数：8被引量：19H指数：2
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多漂移区薄膜SOI RESURF结构及其解析物理模型被引量：1
《电力电子技术》1999年第4期56-58,共3页李文宏 罗晋生 
提出了一种新的薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ（ 降低表面电场） 结构，称为多漂移区薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ 结构。以双漂移区薄膜 Ｓ Ｏ Ｉ Ｒ Ｅ Ｓ Ｕ Ｒ Ｆ 结构为例给出了基于二维 Ｐｏｉｓｓｏｎ 方程的解析物理模...
关键词：RESURF结构 SOI 半导体功率器件 解析物理模型 
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