RESURF结构

作品数：8被引量：19H指数：2
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阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究被引量：2
《微电子学》2006年第2期125-128,共4页毛平 陈培毅 
国家自然科学基金资助项目(10075029)
研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善...
关键词：SOI RESURF结构 阶梯变掺杂 耐压机理 
有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型被引量：1
《微电子学》2004年第2期207-210,214,共5页方健 李肇基 张波 
国家"十五"预先研究资助项目(41308020405);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439020103DZ0201)
　提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOIRESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。
关键词：SOI RESURF 电场分布 解析模型 缓冲层 分段变掺杂 智能功率集成电路 
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