压阻特性

作品数：90被引量：322H指数：10
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P型硅纳米板压阻特性的理论研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第5期970-974,共5页张加宏 黄庆安 于虹 雷双瑛 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB300404);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA64Z301)资助项目~~
考虑量子尺寸效应与自旋轨道耦合作用,从含有应变的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量出发,采用有限差分方法建立了p型硅纳米板的能带结构模型.基于硅纳米板压阻特性与其能带结构的相关性,采用改进的压阻理论定量分析了厚度、杂质浓度与温度...
关键词：硅 能带结构 压阻特性 尺寸效应 自旋轨道耦合 
共振隧穿二极管的压阻特性测试与研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1789-1793,共5页毛海央 熊继军 张文栋 薛晨阳 桑胜波 鲍爱达 
国家自然科学基金(批准号:50405025;50375050);霍英东基金(批准号:01052)资助项目~~
设计并搭建了检测共振隧穿二极管(RTD)压阻特性的实验系统,测试了RTD结构在不同应力状态下I-V特性曲线的漂移.实验结果表明RTD结构压阻特性的灵敏度大于1×10-8Pa-1.为了更精确地定量表达其压阻特性,研究了同一RTD结构I-V特性的一致性,...
关键词：共振隧穿二极管 压阻特性 一致性 灵敏度 喇曼光谱 
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响被引量：19
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1230-1235,共6页揣荣岩 刘晓为 霍明学 宋明浩 王喜莲 潘慧艳 
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下...
关键词：多晶硅 纳米薄膜 压阻特性 隧道效应 应变系数 
快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究
《Journal of Semiconductors》1992年第12期756-762,共7页曹子祥 黄永宏 王思杰 陈怀溥 
本文首先系统的研究了用 LPCVD工艺在温度为 625℃、气相硼硅原子比分别为 1.6 × 10^(-3)和2.0×10^(-3)时淀积的、其后又分别经900℃、1050℃、1150℃ 10秒钟快速热退火(RTA)处理的多晶硅薄膜压阻特性.然后,基于上述结果,着重研究了...
关键词：多晶硅 薄膜 退火 压阻特性 
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