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SICOI: 作品数：5被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：龚欣郝跃贾护军张进城张智更多>>; 相关机构：西安电子科技大学雷声公司中国科学院大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《电子科技》《微电子学》《光散射学报》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>

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多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件: 《Journal of Semiconductors》2004年第1期73-76,共4页龚欣张进城郝跃; 国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.2 0 0 2 CB3 1190 4)~~; 用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在...; 关键词：SICOI MESFET 多台阶介质槽隔离击穿电压