SI单晶

作品数：29被引量：24H指数：3
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直拉Si单晶中的缺陷减少与吸杂能力的提高
《现代材料动态》2002年第2期2-3,共2页邓志杰 
关键词：直拉Si单晶 缺陷 吸杂能力 硅单晶 半导体材料 生产工艺 
用红外光散射形貌术研究在三种不同勾形磁场中生长的CZ Si中的缺陷
《现代材料动态》2000年第10期18-18,共1页邓志杰 
关键词：日本学习院大学 红外光散射形貌术 勾形磁场 CZ SI单晶 
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