SOI工艺

作品数：82被引量：86H指数：5
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深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟被引量：2
《电子技术应用》2019年第12期59-61,66,共4页薛海卫 张猛华 杨光安 
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量...
关键词：瞬时剂量率效应 三维数值模拟 深亚微米SOI H型NMOS 
意法·爱立信推出LTE Modem和应用处理器高集成平台
《电子技术应用》2013年第2期5-5,共1页
NovaThor L8580 ModAp平台采用具有突破性的FD—SOI工艺技术创新的设计支持高达2．5 GHz的eQuad处理器，并整合了先进的LTE多模Modem2013年1月7日，全球领先的移动平台和半导体厂商意法·爱立信在全球最大规模的拉斯维加斯消费电子展上...
关键词：应用处理器 集成平台 LTE 爱立信 MODEM 手机平台 SOI工艺 消费电子展 
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