SOI结构

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绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
《物理学报》2011年第10期506-511,共6页王茺 杨宇 杨瑞东 李亮 韦冬 靳映霞 Bao Ji-Ming 
国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南大学理工基金(批准号:2009E27Q)资助的课题~~
对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光...
关键词：SOI结构 自离子注入 W线 近红外发光器件 
离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究
《物理学报》1989年第12期1996-2002,共7页俞跃辉 林成鲁 张顺开 方子韦 邹世昌 
本文中研究了O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(190keV,1.8×10^(18)/cm^2)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O^+的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋...
关键词：离子注入 SOI结构 界面 埋层 能谱 
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