SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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SIMOX结构退化的卢瑟福背散射研究
《微细加工技术》1996年第3期25-30,共6页蒋美萍 李金华 林成鲁 
在高温外延气氛下，ＳＩＭＯＸ结构会被损伤、退化。本文用卢瑟福背散射技术分析了这种退化，指出这种退化主要是高温下氢对表层硅的反应剥蚀及氢经表层硅中穿透性位错使埋层ＳｉＯ２分解。
关键词：SIMOX SOI结构 卢瑟福背散射 半导体材料 
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