TMAH

作品数：58被引量：116H指数：6
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锗硅SiGe外延技术中提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性的方法
《集成电路应用》2019年第7期19-21,共3页张旭升 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)
伴随着CMOS技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小,传统CMOS工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于PMOS驱动电流的要求。在关键尺寸进入28 nm及以下后,必须采用锗硅(SiGe)外延技术来加大PMOS的压应力,以此提高器件的整体...
关键词：集成电路制造 28 nm CMOS 锗硅外延 西格玛沟槽刻蚀 TMAH 工艺稳定性 
SiGe Recess工艺中TMAH蚀刻速率的研究与优化
《集成电路应用》2018年第11期25-30,共6页李帅臻 段力 
伴随着摩尔定律的发展,MOSFET的特征尺寸不断减小,90 nm节点以后,栅极SiO2介质的厚度已经接近物理极限,此时引入了high-k金属栅极,使摩尔定律能够继续往下延续。引入high-k金属栅极的同时又采用了应变硅技术,很好地解决了载流子迁移率...
关键词：集成电路制造 SIGE RECESS TMAH蚀刻速率 TMAH溶氧溶氧量 
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