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作品数：427被引量：579H指数：9
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先驱体制备典型陶瓷(C,SiC和B_xC)的化学反应机理研究被引量：1
《材料工程》2015年第10期102-112,共11页张瑾 苏克和 马咏梅 曾庆丰 成来飞 张立同 
国家自然科学基金资助项目(50572089;50802076);国家重点基础研究发展计划(973计划)(61348)
以C3H6(丙烯)+H2,MTS+H2,CH4+BCl3+H2,C3H6(丙烯)+BCl3+H2为先驱体,采用量子力学结合统计热力学、变分过渡态理论和反应动力学等方法,研究制备典型陶瓷(C,SiC和BxC)的化学反应机理。重点阐述用精确量子化学方法获取可能中间体、过渡态...
关键词：先驱体 陶瓷 化学反应机理 
磁控反应溅射制备Ge_xC_(1-x)薄膜的特殊性分析
《材料工程》2000年第10期15-17,21,共4页宋建全 刘正堂 于忠奇 耿东生 郑修麟 
航空科学基金!资助项目 ( 93G531 2 0 );陕西省自然科学基金!资助项目 ( 99C2 9)
利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对 Gex C1- x薄膜的沉积速率和 Ge原子百分比进行了研究。结果表明 ,Gex C1- x薄膜的沉积速率并没有随着靶...
关键词：磁控反应溅射 红外镀膜材料 GEXC1-X薄膜 制备 
反应溅射 Ge_XC_(1-X) 薄膜的沉积速率被引量：1
《材料工程》1998年第2期6-8,共3页刘正堂 朱景芝 宋建权 郑修麟 
航空科学基金资助项目
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数对ＧｅＸＣ１－Ｘ薄膜沉积速率的影响。结果表明，当气体流量比超过某值后，沉积速率有较大的下降。沉积速率随射频功率的增大而增大。某工作气压下有沉积速率的最大值。薄膜厚度随时间的增长规...
关键词：磁控反应溅射 沉积速率 靶中毒 碳化锗 薄膜 
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