磁控反应溅射

作品数：132被引量：392H指数：10
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纳米氮化钛薄膜对高频陶瓷窗片二次电子发射率的影响研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2023年第11期960-966,共7页赵毅红 李芳芳 王博锋 叶成聪 缪雨龙 陈海波 陈荣发 
国家自然科学基金项目(51872254);扬州市校合作专项项目(YZ2021151,YZ2021155)。
纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(...
关键词：磁控反应溅射 纳米TiN 薄膜 高频陶瓷窗片 二次电子发射率 
ITO/PET衬底上掠射角溅射沉积WO_(3)薄膜及其电致变色性能被引量：2
《稀有金属材料与工程》2022年第4期1448-1454,共7页王冠杰 王美涵 文哲 魏丽颖 雷浩 孙立贤 徐芬 
辽宁省高等学校创新人才支持计划(LR2019044);辽宁省自然科学基金指导计划项目(2019-ZD-0540);沈阳市中青年科技创新人才支持计划(RC190359);广西信息材料重点实验室开放课题(191007-K)。
采用直流磁控反应溅射法,以不同掠射角度在ITO/PET衬底上沉积WO_(3)薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和能谱仪(EDS)对WO_(3)薄膜表面和断面的形貌及化学组成进行表征;利用电化学工作站和紫外分光光度计对WO_(3)薄膜的电化学性能...
关键词：WO_(3)薄膜 ITO/PET衬底 直流磁控反应溅射 掠射角 电致变色性能 
磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响被引量：1
《发光学报》2015年第12期1452-1457,共6页农明涛 苗振林 梁智勇 周佐华 蔡炳杰 卢国军 林传强 张宇 
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进Ga...
关键词：直流磁控反应溅射 氮化铝缓冲层 氮化镓基发光二极管 金属有机化学气相沉积 
晶态WO_3电致变色薄膜和器件的制备及性能研究被引量：2
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2014年第5期534-537,共4页张学科 李合琴 周矗 颜毓雷 王伟 乔恺 
国家"973"计划资助项目(2008CB717802);安徽省自然科学基金资助项目(090414182);安徽省高等学校自然科学研究基金资助项目(KJ2009A091;KJ2012A228)
文章用射频磁控反应溅射法,以钨靶为溅射靶材,在玻璃和ITO衬底上分别制备了WO3薄膜,氧气和氩气的流量比值为5∶25,工作气压为1.5Pa,所有样品均进行了400℃保温1h的退火。通过改变溅射功率,研究了功率对WO3薄膜的相组成、表面形貌、可见...
关键词：晶态WO3薄膜 射频磁控反应溅射 透过率 电致变色 
Tm掺杂AlN薄膜结构及其光致发光特性研究
《嘉兴学院学报》2013年第3期65-68,共4页张勇 马玉彬 
利用射频磁控反应溅射方法,以Al-Tm合金为靶材,Si(100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响.XRD测试结果表明,经高温退火处理后的样品...
关键词：Tm掺杂AlN 射频磁控反应溅射 光致发光光谱 
氧气通量对反应溅射法制备HfO2薄膜生长过程的影响被引量：1
《凝聚态物理学进展》2013年第1期12-16,共5页杨宇桐 唐武 
国家自然科学基金资助(No. 51071038);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-09-0265);四川省杰出青年科技基金支持项目(2010JQ0002)。
利用金属Hf与氧气反应溅射制备了HfO2薄膜,采用X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)等手段对薄膜的组成成分以及表面形貌进行了分析表征,并从薄膜生长机理角度研究了氧气的通量对于HfO2成膜过程的影响,得到了氧气通量的增大能...
关键词：HFO2薄膜 射频磁控反应溅射 XPS AFM 
铜基NiCr系太阳光吸收薄膜制备及性能分析被引量：3
《真空科学与技术学报》2012年第8期669-673,共5页陈长琦 裘一冰 王国栋 
基于等效媒质理论设计了NiCr四层渐变膜系。以4∶1的NiCr合金靶材,氧气和氮气为反应气体,氩气为工作气体,用磁控反应溅射法制备蓝色NiCr系太阳能光谱选择性吸收薄膜。测试分析薄膜成分、微观结构、厚度、吸收比和发射率对薄膜性能的影...
关键词：磁控反应溅射 吸收比 发射率 溅射工艺 填充因子 
FBAR用高质量AlN薄膜制备
《半导体技术》2012年第8期627-629,共3页韩东 霍彩红 邓建国 
采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,...
关键词：氮化铝薄膜 磁控反应溅射 RF偏置 薄膜体声波谐振器 (002)向 
磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究被引量：2
《光电子．激光》2012年第4期724-729,共6页王斐 陈新亮 耿新华 黄茜 张德坤 孙建 魏长春 张晓丹 赵颖 
国家“973”重点基础研究(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602);科技部国际合作(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341)资助项目
采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的...
关键词：H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜 磁控溅射 绒面结构 梯度H2技术 薄膜太阳能电池 
射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究
《物理学报》2012年第5期361-365,共5页马姣民 梁艳 郜小勇 陈超 赵孟珂 卢景霄 
国家自然科学基金(批准号:60807001);河南省高等学校青年骨干教师资助计划;国家重点基础研究发展计划(批准号:201 1CB201605);河南省教育厅自然科学资助研究计划(批准号:2010A140017)资助的课题~~
Ag_2O薄膜在新型超高存储密度光盘和磁光盘方面具有潜在的应用前景.利用射频磁控反应溅射技术,通过调节衬底温度在沉积气压为0.2 Pa、氧氩比为2:3的条件下制备了一系列Ag_2O薄膜.利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz...
关键词：Ag_2O薄膜 椭圆偏振 射频磁控反应溅射 光学性质 
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