霍彩红

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：金属电极氮化铝薄膜MOS电容光刻胶功率晶体管更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《电子工艺技术》更多>>
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RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响被引量：3
《微纳电子技术》2015年第4期261-265,共5页李明月 霍彩红 韩东 
采用射频（RF）反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si（100）和Si（111）衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜（AFM）和X射...
关键词：氮化铝薄膜 反应磁控溅射 择优取向 射频(RF)偏置功率 表面形貌 
双极大功率晶体管背面工艺优化被引量：1
《半导体技术》2014年第8期605-608,632,共5页霍彩红 潘宏菽 刘相伍 程春红 
针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的...
关键词：双极大功率晶体管 背面减薄工艺 背面金属化前清洗工艺 BC正向压降 非均匀性 
改善金属电极表面状态的工艺研究
《电子工艺技术》2014年第3期173-174,186,共3页霍彩红 刘相伍 
主要讨论了半导体芯片的电镀工艺、金属刻蚀工艺对金属电极表面状态的影响。试验发现,电镀工艺中的电流密度、pH值和刻蚀工艺中的刻蚀方法对金属电极的表面状态有很大影响。通过优化此两个工艺,得到以下结论:当采用小电流密度、高pH值...
关键词：电镀 PH 电流密度 表面状态 刻蚀 
FBAR用高质量AlN薄膜制备
《半导体技术》2012年第8期627-629,共3页韩东 霍彩红 邓建国 
采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,...
关键词：氮化铝薄膜 磁控反应溅射 RF偏置 薄膜体声波谐振器 (002)向 
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