ALGAN/GANHEMT

作品数：10被引量：22H指数：3
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基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展被引量：3
《微电子学》2005年第3期245-247,共3页王冲 刘道广 郝跃 张进城 
国家重大基础研究发展(973)计划资助项目(2002CB311904);国防预先研究项目
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaNHEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术———倒装芯片集成(FCIC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaNHEMT的性能。
关键词：微波功率放大器 微波集成电路 高电子迁移率器件 ALGAN/GAN 倒装芯片集成 共平面线 
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