ALN缓冲层

作品数：26被引量：63H指数：5
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张宝顺陈弘邓旭光范亚明朱建军更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学北京工业大学南昌大学更多>>
相关期刊：《材料研究学报》《半导体光电》《科技智囊》《哈尔滨理工大学学报》更多>>
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刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响被引量：1
《物理学报》2016年第8期363-369,共7页王光绪 陈鹏 刘军林 吴小明 莫春兰 全知觉 江风益 
国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101);江西省科技支撑计划(批准号:20151BBE50111)资助的课题~~
研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果...
关键词：氮化镓 氮化铝 表面粗化 发光二极管 
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1
《物理学报》2015年第18期446-455,共10页张超宇 熊传兵 汤英文 黄斌斌 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076,11364034,61334001,21406076,61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101,2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前...
关键词：氮化镓 发光二极管 自由支撑 光致发光 
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