BSIM

作品数:21被引量:28H指数:3
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相关领域:电子电信更多>>
相关作者:韩郑生刘军海潮和李瑞贞李庆华更多>>
相关机构:杭州电子科技大学中国科学院微电子研究所华东师范大学北京华大九天科技股份有限公司更多>>
相关期刊:《微电子技术》《Journal of Microelectronic Manufacturing》《微电子学与计算机》《Chinese Journal of Electronics》更多>>
相关基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金美国国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
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MOSFET Carrier Surface Effective Mobility with Thin Gate-Oxide Thickness
《Chinese Journal of Electronics》2005年第2期264-267,共4页ZHAOYang PARKEStephen CHUJiamei BURKEFranklyn 
Mobility is a key parameter in MOSFET (Metal-oxide-semiconduetor field effect transistor) modeling. However, due to the influence of transverse electric field as a result of thin gate-oxide thickness in modern MOSFET,...
关键词:设备模型化 BSIM MOSFET 载波有效移动性 
Modeling of Uniform/Non-Uniform Doping Effects for MOSFET Based on BSIM被引量:1
《Chinese Journal of Electronics》2004年第3期413-415,共3页ZHAOYang PARKEStephen BURKEFranklyn 
In this paper the vertical uniform and nonuniform doping effects for long-channel device (L=2.5μm) of MOSFET are researched where BSIM Model is employed for parameter extraction of doping effects. Further,the descri...
关键词:MOSFET BSIM 均匀掺杂 不均匀掺杂 
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