C-V法

作品数：14被引量：43H指数：4
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准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理被引量：3
《半导体技术》2007年第7期577-580,共4页钱敏 刘蓓 辛煜 
表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该...
关键词：C-V测试 表面态分布 数据处理 数值积分 
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