CL2/AR

作品数：5被引量：20H指数：3
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相关机构：中国科学院上海大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《Science China(Technological Sciences)》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第3期420-423,共4页陈亮 亢勇 赵德刚 李向阳 龚海梅 
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速...
关键词：感应耦合等离子体 铝镓氮 X射线光电子能谱 损伤 
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