CMOS带隙基准电压源

作品数：35被引量：104H指数：6
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相关作者：范涛冯勇建袁国顺李红张萌更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所东南大学厦门大学西安电子科技大学更多>>
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一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源被引量：3
《半导体技术》2021年第1期24-29,共6页王鹏飞 刘博 段文娟 张立文 张金灿 
国家自然科学基金资助项目(61704049,61804046);河南省科技厅重点科技攻关项目(192102210087,202102210322)。
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 带隙基准电压源 低温度系数 亚阈值区 晶体管阵列版图 
一种输出可调CMOS带隙基准电压源的设计被引量：7
《半导体技术》2010年第7期736-739,共4页王永顺 史琳 王好德 
甘肃省科技支撑计划项目(097GKCA052)
传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值。主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源。电路综合温度补偿、电流...
关键词：互补金属氧化物半导体 带隙基准 输出可调 温度系数 电源抑制比 
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