CMOS低噪声放大器

作品数：74被引量：135H指数：5
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一款应用于802.11ax的5.3~7.4 GHz CMOS低噪声放大器设计
《固体电子学研究与进展》2025年第1期52-58,共7页蒋欣怡 石春琦 黄磊磊 徐珑 张润曦 
上海市科委资助项目(22DZ2229004);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(40500-20103-222178)。
为满足IEEE 802.11ax应用的低噪声和大带宽需求,设计了一款5.3~7.4 GHz宽带低噪声放大器(Low noise amplifier, LNA)。采用无源变压器作为辅路,实现噪声抵消,在优化噪声系数的同时不增加功耗,与未采用噪声抵消的方案相比,噪声系数改善0....
关键词：低噪声放大器 无源辅路噪声抵消 调谐宽带 802.11ax 
2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第1期94-97,138,共5页丘聪 叶甜春 范军 
设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。
关键词：射频集成电路 低噪声放大器 噪声系数 
2．1GHz CMOS低噪声放大器
《固体电子学研究与进展》2008年第2期212-214,共3页铁宏安 李拂晓 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩 张斌 翁长羽 
863计划项目(课题编号:2002AA1Z1620)
采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
关键词：射频 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 
增益可控CMOS低噪声放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2007年第2期207-212,共6页胡嘉盛 李巍 任俊彦 
上海市信息委/经委2003年促进整机业与集成电路设计联动专项基金(编号为04-联专-004)
设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,...
关键词：互补金属氧化物半导体射频集成电路 低噪声放大器 可变增益控制 
2.4GHz、增益可控的CMOS低噪声放大器被引量：4
《固体电子学研究与进展》2004年第4期498-504,共7页黄煜梅 叶菁华 朱臻 洪志良 
介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大...
关键词：互补金氧化物半导体低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 增益可控 
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