CMOS兼容

作品数:42被引量:54H指数:4
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相关机构:中国科学院东南大学中国科学院大学天津大学更多>>
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CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
《半导体技术》2022年第3期179-183,共5页陈延博 杨兵 康玄武 郑英奎 张静 吴昊 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(61804172,61874002);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法...
关键词:Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构 无金工艺 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺 
硅基单片集成单边带调制器被引量:1
《半导体技术》2022年第2期134-139,共6页冯俊波 杨明祥 刘大鹏 廖海军 夏鹏辉 
基于CMOS兼容的硅基光子集成工艺,设计并实现了一种具有高边带抑制比的硅基单片集成单边带调制器。单边带调制器采用正交混合耦合器实现上下两臂等幅度、90°相位差的射频信号加载,基于硅基双驱动马赫曾德尔调制器的热移相器调控上下两...
关键词:硅基光子学 CMOS兼容 单边带 调制器 正交混合耦合器 
一种高速大电流开关驱动器的设计与实现被引量:2
《半导体技术》2017年第4期264-268,共5页孙毛毛 甘明富 
设计并实现了一种高速大电流的开关驱动器,可用于驱动PIN开关以及IGBT开关等。开展了系统结构、电路和版图技术研究,并采用亚微米CMOS标准工艺进行设计和制造。通过采用一种带隙基准结构提供偏置的方式使电路兼容TTL和CMOS输入,保证良...
关键词:CMOS工艺 开关驱动器 TTL-CMOS兼容 集成电路 偏置电路 
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