云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- CMOS兼容

CMOS兼容: 作品数：42被引量：54H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>; 相关作者：黄庆安王跃林徐德辉秦明李铁更多>>; 相关机构：中国科学院东南大学中国科学院大学天津大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《光学学报》《红外与毫米波学报》《Science China Materials》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展被引量：1: 《光学学报》2023年第8期35-46,共12页张弛肖淑敏; 超构表面为纳米光子器件赋予了更高的自由度与灵活度,使实用的微纳米光子器件的实现成为可能。基于高折射率半导体材料的介质超构表面制备技术可以和半导体集成电路的制作工艺结合,有希望在攻克超构表面大面积和高通量制备技术难题上发...; 关键词：光学设计超构表面微纳制造高通量制造 CMOS兼容制造工艺

与硅基CMOS兼容且具有超高响应率和比探测率的二维二硒化铂自驱动光电探测器被引量：4: 《Science China Materials》2023年第1期193-201,共9页叶鹏肖涵朱清海孔宇晗唐幼梅徐明生; supported by the National Natural Science Foundation of China(62090030/62090031,51872257,and 51672244);the National Key R&D Program of China(2021YFA1200502);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province,China(LZ20F040001)。; 因二维材料的独特性质及其可调谐的光谱响应,基于二维材料的光电探测器受到广泛关注.然而,它们的性能还不够突出,其制造工艺与硅基互补金属氧化物半导体技术工艺流程的兼容性还需要评估.在本文中,我们报道了一种基于二硒化铂/超薄二氧化...; 关键词：光电探测器比探测率自驱动暗电流互补金属氧化物半导体响应率异质结构光谱响应

CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管: 《半导体技术》2022年第3期179-183,共5页陈延博杨兵康玄武郑英奎张静吴昊刘新宇; 国家自然科学基金资助项目(61804172,61874002);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。; 在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法...; 关键词：Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构无金工艺电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺

硅基单片集成单边带调制器被引量：1: 《半导体技术》2022年第2期134-139,共6页冯俊波杨明祥刘大鹏廖海军夏鹏辉; 基于CMOS兼容的硅基光子集成工艺,设计并实现了一种具有高边带抑制比的硅基单片集成单边带调制器。单边带调制器采用正交混合耦合器实现上下两臂等幅度、90°相位差的射频信号加载,基于硅基双驱动马赫曾德尔调制器的热移相器调控上下两...; 关键词：硅基光子学 CMOS兼容单边带调制器正交混合耦合器

3-μm中红外偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器被引量：1: 《红外与毫米波学报》2021年第3期297-301,共5页陆荣国林瑞沈黎明蔡松炜王玉姣陈进湛杨忠华吕江泊周勇王小菊刘永; Supported by the National Key Research and Development Program of China(2018YFE0201901);the Program for International S&T Co⁃operation Projects of Sichuan Province(2020YFH0108);the National Nature Science Foundation of China(61435010,61307070,61421002,61704021);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(ZYGX2019J046)。; 文章提出了一种3-μm中红外波段偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器,器件主要包括两部分:模式转换结构及石墨烯调制器。该调制器不仅满足于CMOS兼容的要求,而且能够实现基膜的偏振无关调制。仿真结果表明该调制器在2.95μm到3.05μm的中...; 关键词：石墨烯调制器偏振无关模式转换中红外

针对功率MEMS器件而设计的高电感密度3D MEMS片内螺线管电感器: 《磁性元件与电源》2020年第6期160-164,共5页Tiantong Xu Jiamian Sun Hanxiao Wu Haiwang Li Hanqing Li Zhi Tao; 在本文中,我们报告了3D电磁电感的设计和测量,该电感嵌入在Si基板中并且可以集成铁芯。通过兼容CMOS的MEMS制造工艺,我们制造出具有良好结构完整性和可重复性的各种电感器设计。电感器的平均电感和品质因数峰峰值变化低于10%,这表明制...; 关键词：电磁电感器功率MEMS 高电感密度 CMOS兼容制造工艺

CMOS兼容的中红外多通道光子晶体传感器: 《红外与毫米波学报》2020年第3期279-283,共5页周易王磊李军杨雪雷甘峰源赵瑛璇仇超李伟; Supported by the Shanghai Sailing Program(18YF1428200,18YF1428100)。; 提出了一种基于光子晶体的二维多通道光学化学传感器。该器件由中心波长为3.3μm的四个腔组成,各通道工作波长间隔为10 nm。该传感器采用800 nm厚的绝缘体上硅材料,可利用标准CMOS技术加工。通过三维时差有限差分法对微腔结构的光学特...; 关键词：光子晶体传感器多通道中红外

利用高阶表面等离子体共振实现窄带完美吸收被引量：2: 《红外与激光工程》2020年第5期231-237,共7页岳嵩王然侯茂菁黄刚张紫辰; 北京市科技新星(Z191100001119058);国家自然科学基金(61905273,51505456);吉林省发展改革委员会项目(2015Y028)。; 超材料完美吸波体是一种典型的电磁功能材料,在包括高效太阳能利用等领域有巨大的应用前景。迄今的工作主要集中在工作波长的可调谐性以及双波段、三波段甚至宽带吸收方面。激光防护等特殊应用要求超材料完美吸波体在指定波长附近拥有...; 关键词：超材料表面等离子体窄带完美吸波体 CMOS兼容偏振不敏感

与Si CMOS兼容的Graphene/MoS2异质结全差分光电探测器和读出电路: 《光电子．激光》2019年第4期347-352,共6页胡跃文谢生叶崇光周高磊毛陆虹; 集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF07)资助项目; 提出了一种基于Graphene/MoS2异质结的全差分光电探测器。利用标准半导体微纳加工技术,制作了有效区域为2.3μm×10μm的Graphene/MoS2异质结结构,用以产生差分光电流;使用0.18μmCMOS工艺设计了差分放大与恒压控制电路,实现光电流到电...; 关键词：Graphene/MoS2异质结二维材料全差分光电探测电路光响应度

一种高速大电流开关驱动器的设计与实现被引量：2: 《半导体技术》2017年第4期264-268,共5页孙毛毛甘明富; 设计并实现了一种高速大电流的开关驱动器,可用于驱动PIN开关以及IGBT开关等。开展了系统结构、电路和版图技术研究,并采用亚微米CMOS标准工艺进行设计和制造。通过采用一种带隙基准结构提供偏置的方式使电路兼容TTL和CMOS输入,保证良...; 关键词：CMOS工艺开关驱动器 TTL-CMOS兼容集成电路偏置电路

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