CMOS射频集成电路

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半导体技术
《中国学术期刊文摘》2008年第16期141-144,共4页
场引晶体管双极理论：X．基本物理和理论（所有器件结构）；CMOS射频集成电路ESD保护的挑战；静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型；一种高效率全pMOS结构AC-DC电荷泵。
关键词：半导体技术 CMOS射频集成电路 静电感应晶闸管 ESD保护 AC-DC MOS结构 器件结构 晶体管 
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