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Cascode Connected AlGaN/GaN Microwave HEMTs on Sapphire Substrates: 《Journal of Semiconductors》2004年第12期1567-1572,共6页邵刚刘新宇和致经刘健吴德馨; 国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 3 );中国科学院重点创新 (批准号 :KGCX2 -SW-10 7)资助项目~~; Fabrication and characteristics of cascade connected AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire substrates are reported.The circuit employs a common source device,which has a gate length of 0.8μm cascode connected to a 1μm c...; 关键词：CASCADE broadband ALGAN/GAN HEMTS SAPPHIRE